图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MJB(41,42)C |
| 文档 |
Multiple Devices 12/Apr/2006 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 产品更改通知 | Product Obsolescence 12/Apr/2006 |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 6A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1.5V @ 600mA, 6A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 700µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 15 @ 3A, 4V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 频率转换 | 3MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 包装材料 | Tube |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS | No |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | NPN |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 100 V |
| 集电极最大直流电流 | 6 A |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 30 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | TO-263-3 (D2PAK) |
| 连续集电极电流 | 6 A |
| 最大功率耗散 | 65 W |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装 | Tube |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 寿命 | Obsolete |
| 集电极最大直流电流 | 6 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 安装 | Surface Mount |
| Maximum Transition Frequency | 3(Min) |
| 包装宽度 | 9.65(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 类型 | NPN |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 100 |
| 最大集电极发射极电压 | 100 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 10.29(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 30@0.3A@4V|15@3A@4V |
| 包装高度 | 4.83(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 6A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 3MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 600mA, 6A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 700µA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 15 @ 3A, 4V |
| 其他名称 | MJB41COS |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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